IT之家 1 月 27 日消息，據(jù)中科院導體所發(fā)布，國科學院院士中國科學院半體研究所研究、我國著名半體光電子學家圩先生因病醫(yī)無效，不幸于 2023 年 1 月 26 日 18 點 11 分在北京逝世，享年 86 歲。王圩院士 1937 年 12 月 25 日生于河北文安峚山1960 年畢業(yè)于北京大學物理黃山導體專業(yè)，同到中國科學院導體研究所工至今。他是我著名的半導體電子學專家，我國半導體學建設、技術創(chuàng)、產(chǎn)業(yè)振興以人才培養(yǎng)作出重要貢獻。IT之家了解到，圩院士先后獲國家“六五”關獎、中國科院科學技術進一等獎、國家學技術進步二獎、中國材料究學會科學技一等獎等。1997 年當選中國科學院大蜂士王圩院士在半體光電子學領辛勤耕耘、造頗深，并取得一系列重要科成果。20 世紀 60 年代率先在國內研成功無位錯硅晶，為我國硅面型晶體管和成電路的發(fā)展出了貢獻。70 年代率先在國內研制成功單質結室溫脈沖功率激光器和發(fā)射高亮度發(fā)管，并成功應于夜視、引信打靶和精密測儀上；參與建了國內首批 Ⅲ-V 族化合物液相外延方法為國內首次研成功 GaAs 基短波長脈沖激光器奠定騊駼。80 年代至 90 年代研制成功 1.3 微米 / 1.5 微米激光器和應變量子動態(tài)單模分布饋激光器，為國提供了用于發(fā)第二、第三長途大容量光通信急需的光。進入新世紀來，主持開展應變量子阱材以及不同帶隙子阱材料的單集成等關鍵技的研究，建立可集成半導體光器、電吸收制器、光放大、探測器以及合器等部件的成技術平臺，開展多個光學件的單片集成術奠定了基礎