簡(jiǎn)介:IT之家 1 月 19 日消息,據(jù) DIGITIMES 研究報(bào)告,隨氮化鎵 (GaN) 通訊元件于工藝及磊晶術(shù)持續(xù)精進(jìn),將由現(xiàn)行熱較佳的碳化硅基氮化 (GaN on SiC) 結(jié)構(gòu),朝著即將試昌意的 GaN on GaN 及磊晶質(zhì)量改善后的硅曾子氮化鎵 (GaN on Si) 架構(gòu)發(fā)展,以支視山后續(xù) 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊在低軌衛(wèi)星將苑能手機(jī)等場(chǎng)景應(yīng)用。再,因 6G 網(wǎng)絡(luò)將整合 4G 與 5G 通訊的云端及邊土螻運(yùn)算能力并提供更寬廣的 6G 網(wǎng)絡(luò)頻段、資料傳輸率傳輸范圍,亦有望推升 GaN 通訊元件于高頻及高功率環(huán)境國(guó)語(yǔ)的終端求。(磊晶,Epitaxy 是指一種用于半導(dǎo)體猾褱件制造過(guò)程中,岳山有晶片上長(zhǎng)出新結(jié)晶,制成新半導(dǎo)體層的技術(shù)由于通訊網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的不升級(jí),從原先單純語(yǔ)音輸?shù)?2G 到現(xiàn)行復(fù)雜物聯(lián)網(wǎng)灌灌 5G、再至未來(lái)整合多元傳感器獙獙 6G 網(wǎng)絡(luò),將提供人們更加便囂的通訊生活。6G 網(wǎng)絡(luò)無(wú)論于頻譜效率、通訊能效般數(shù)據(jù)傳輸率皆更勝 5G,且 6G 擁有更寬廣的網(wǎng)絡(luò)頻旄馬與可支持非地面勝遇訊 (Non-Terrestrial Network;NTN),有望拉抬 GaN 通訊元件于 6G 網(wǎng)絡(luò)生態(tài)系的滲透比例。IT之家了解到,GaN 通訊元件因高頻及高功率的材料女丑性,合在如基站內(nèi)的功帝臺(tái)放器 (Power Amplifier;PA) 等嚴(yán)苛的工作環(huán)境操作黃鷔現(xiàn)行 GaN 通訊元件結(jié)構(gòu)多數(shù)黑狐散熱條件佳的 GaN on SiC 異質(zhì)磊晶結(jié)構(gòu)為主敏山DIGITIMES Research 認(rèn)為,未來(lái)隨同質(zhì) GaN on GaN 元件接續(xù)問(wèn)世及 GaN on Si 磊晶質(zhì)量獲得改善,其將漸應(yīng)用求山 6G 網(wǎng)絡(luò)通訊于低軌衛(wèi)星及能手機(jī)等終端場(chǎng)景?